Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,446
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
57,756在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
15,149预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
22,018在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
103,895在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
71,490在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Channel
78,000预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,780
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
30,000预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A
18,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,250
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Dual N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A
9,944预期 2027/3/10
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL
22,500在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,500
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
12,000预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 790
: 4,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
9,955预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
最大: 730
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
9,992预期 2027/2/26
最低: 1
倍数: 1
最大: 910
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
35,350在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
11,889在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 730
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
40,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,400
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
189,399预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
174,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
161,717在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 9,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
69,991在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
128,500在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,360
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
265,474预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
最大: 21,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 2N7002 Family
70,302在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
51,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
437,940在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000