Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,445
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
65,343在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
5,000预期 2027/9/8
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
36,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
26,847在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
40,005在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,310
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
99,407在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 20V P-CH Enhance Mode
2,985在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 540
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
14,786在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 390
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23
70,294预期 2026/10/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
7,773在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 1库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
14,998在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 890
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
43,318在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
26,897在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
11,893在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000
Diodes Incorporated MOSFET 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A
60,000预期 2027/7/16
最低: 1
倍数: 1
最大: 5,840
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 931pF 19.3nC
25,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,500
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A
71,658在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 TSOT23,3K
18,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
187,412在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET P-CH. MOSFET BVDSS: 25V-30V, AEC-Q101
47,720预期 2026/11/23
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
2,975在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET 40V P-Ch Enh Mode 25mOhm -10V -7.2A
24,186在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET 40V P-CH Enhance Mode
5,700预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
21,586在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 600
: 2,500