Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,446
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Diodes Incorporated MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
12,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
12,497在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,500
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
20,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
9,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
9,583预期 2027/2/8
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
6,000预期 2027/9/1
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
14,923在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,500
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K
9,975预期 2027/3/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 430
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V
14,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
14,970在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
46,030预期 2027/7/28
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,500
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
36,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K
26,966预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
4,990预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
4,994在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 220
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
5,919预期 2027/3/12
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 1K
2,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
71,281在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
7,547预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET Low Side IntelliFET
16,520在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,500
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET Low Side IntelliFET
4,998在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Diodes Incorporated DMC4029SK4-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
30,259在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,500
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A
2,490预期 2027/3/19
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
23,943预期 2027/12/17
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000