Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

结果: 1,445
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS

Diodes Incorporated MOSFET 33V Dual N-Ch Enh 30Vgss 250mA 0.35W
5,722在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 400
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V
2,496预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET N-CHANNEL MOSFET
9,974预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,880
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual N-Channel
5,994在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 460
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 2N7002 Family
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V Single N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A
5,815在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
9,995预期 2027/3/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 940
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K
14,770预期 2026/8/31
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
14,650在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,350
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
9,401预期 2027/4/21
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,490
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 60V 20Vgss 0.47W
28,239在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
20,983在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
10,100预期 2027/12/3
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
3,000预期 2027/9/6
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
49,153在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
36,680预期 2027/2/26
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,820
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
29,621在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
16,106在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K
4,216预期 2027/3/12
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
48,890在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS
6,000预期 2027/1/20
最低: 1
倍数: 1
最大: 620
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss
5,873在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 720
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC
18,944预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1
: 10,000


Diodes Incorporated MOSFET Dual P-Channel
3,000预期 2027/4/9
最低: 1
倍数: 1
: 3,000