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SQRS182ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQRS182ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQRS182ELP-T1_GE3
Price: 23.28 RMB
Availability: OutOfStock

Mouser编号：

78-SQRS182ELP-T1_GE3

制造商编号：

SQRS182ELP-T1_GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

寿命周期:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
商标:	Vishay Semiconductors
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel

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已选择的属性: 0

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SQ汽车级功率MOSFET

Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET符合AEC-Q101标准，采用经过优化的适用于汽车业的特殊工艺设计生产。这些SQ MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET^®技术，具有低热阻。SQ MOSFET有多种封装可供选择，可实现设计灵活性。封装包括TO-252、TO-262、TO-263、PowerPAK® SO-8、PowerPAK 8x8L、PowerPAK SO-8L、D2PAK (TO-263)、DPAK和PowerPAK 1212-8W，以及几种节省空间的小型封装。Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET提供各种极性选项，包括N沟道和P沟道一体封装。