500 W 半导体

结果: 13
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Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD 105库存量
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY 120库存量
最低: 1
倍数: 1


Infineon Technologies 音频放大器 200V Dig Aud Drvr 29,813库存量
17,500预期 2026/12/17
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP 110库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP 57库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V 无库存交货期 15 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-500A/PALLET/REELDP

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-500A/PALLET/TRAYDP

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-505A/SOT1273/TRAYDP