1.95 V 半导体

结果: 1,044
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Macronix NAND闪存 Serial NAND 1.8V 2Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
4,000在途量
最低: 1
倍数: 1

Microchip Technology ARM微控制器 - MCU IND TEMP MRL B
288预期 2026/8/25
最低: 1
倍数: 1

Microchip Technology ARM微控制器 - MCU 256K Flash, 52K SRAM 32-bit ARM Cortex M3
368预期 2027/3/15
最低: 1
倍数: 1


ISSI 静态随机存取存储器 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 262库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI IS42VM32200M-75BLI
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx32, 133Mhz, RoHS 22库存量
最低: 1
倍数: 1


Microchip Technology 32位微控制器 - MCU 32-bit 64KB Flash
1,820预期 2026/10/5
最低: 1
倍数: 1


Microchip Technology ARM微控制器 - MCU Cortex-M0+ 256KB FLASH 32KB SRAM
3,983预期 2026/10/13
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

Microchip Technology ARM微控制器 - MCU VFBGA, GREEN, IND TEMP, MRL A
140预期 2026/10/6
最低: 1
倍数: 1

Microchip Technology ARM微控制器 - MCU Cortex-M0+ 32KB FLASH 4KB SRAM
498预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1

ISSI IS25WP512M-RHLA3
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade 168库存量
最低: 1
倍数: 1
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 429库存量
最低: 1
倍数: 1

Microchip Technology 静态随机存取存储器 256K 32K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND
300预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1


Microchip Technology 静态随机存取存储器 256K 32K X 8 1.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND
184预期 2026/8/31
最低: 1
倍数: 1

ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, T&R
7,522预期 2026/10/9
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

ISSI NOR闪存 2Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die
1,622在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS, T&R
8,731预期 2026/10/14
最低: 1
倍数: 1
: 4,500

ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
1,088预期 2027/7/21
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
1,118预期 2027/7/30
最低: 1
倍数: 1


ISSI 通用闪存存储器 - UFS 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin & WP#, TR
7,500预期 2027/2/16
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,496在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
3,575在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
680在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
408在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
203在途量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
959预期 2027/8/9
最低: 1
倍数: 1