|
|
GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262701FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,784.1005
-
53库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA262701FAV2R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
53库存量
|
|
|
¥1,784.1005
|
|
|
¥1,506.5386
|
|
|
¥1,506.5386
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH27030S
- MACOM
-
1:
¥815.5436
-
168库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH27030S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
168库存量
|
|
|
¥815.5436
|
|
|
¥656.3379
|
|
|
¥594.2331
|
|
|
¥594.2331
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
- GTVA126001EC-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥9,784.8169
-
9库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA126001ECV1R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
|
|
9库存量
|
|
|
¥9,784.8169
|
|
|
¥9,784.8169
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
¥1,223.9143
-
17库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA262711FAV2R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
17库存量
|
|
|
¥1,223.9143
|
|
|
¥985.7668
|
|
|
¥985.7668
|
|
|
¥947.9005
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
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|
|
|
交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G03DBR2G
- NCP1568G03DBR2G
- onsemi
-
1:
¥13.899
-
2,322库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
863-NCP1568G03DBR2G
寿命结束
|
onsemi
|
交流/直流转换器 ACTIVE CLAMP FLYBACK
|
|
2,322库存量
|
|
|
¥13.899
|
|
|
¥11.4695
|
|
|
¥10.8593
|
|
|
¥10.1587
|
|
|
查看
|
|
|
¥9.379
|
|
|
¥9.8988
|
|
|
¥9.7293
|
|
|
¥9.379
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
射频放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
- MAPC-A1501-AS000
- MACOM
-
1:
¥5,295.4399
-
13库存量
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A1501-AS000
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频放大器 GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
|
|
13库存量
|
|
|
¥5,295.4399
|
|
|
¥5,140.4943
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
¥82.3883
-
337库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT070R70HTO
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
337库存量
|
|
|
¥82.3883
|
|
|
¥56.50
|
|
|
¥42.4315
|
|
|
¥34.6571
|
|
|
¥34.578
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥56.6582
-
675库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT080R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
675库存量
|
|
|
¥56.6582
|
|
|
¥38.1375
|
|
|
¥27.6285
|
|
|
¥25.8883
|
|
|
¥22.4983
|
|
|
¥21.0971
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥55.7542
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
|
¥55.7542
|
|
|
¥42.7253
|
|
|
¥39.5274
|
|
|
¥35.9566
|
|
|
查看
|
|
|
¥34.4763
|
|
|
¥33.8774
|
|
|
¥33.6966
|
|
|
¥32.0468
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3626ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥46.7368
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3626ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
|
¥46.7368
|
|
|
¥35.5724
|
|
|
¥32.7587
|
|
|
¥29.6964
|
|
|
查看
|
|
|
¥28.2048
|
|
|
¥27.3799
|
|
|
¥27.0522
|
|
|
¥26.7132
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
¥34.578
-
2,139库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2090
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
2,139库存量
|
|
|
¥34.578
|
|
|
¥22.7469
|
|
|
¥15.9669
|
|
|
¥13.3227
|
|
|
¥11.0853
|
|
|
¥10.8367
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
¥80.4786
-
900库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2091
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
900库存量
|
|
|
¥80.4786
|
|
|
¥55.1666
|
|
|
¥41.1885
|
|
|
¥33.5836
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
- EPC23102
- EPC
-
1:
¥70.8849
-
1,341库存量
-
3,000预期 2026/8/7
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC23102
新产品
|
EPC
|
栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
|
|
1,341库存量
3,000预期 2026/8/7
|
|
|
¥70.8849
|
|
|
¥55.0084
|
|
|
¥51.0308
|
|
|
¥46.6464
|
|
|
查看
|
|
|
¥39.8664
|
|
|
¥44.5785
|
|
|
¥43.3468
|
|
|
¥42.1829
|
|
|
¥39.8664
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R140D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥25.5606
-
2,086库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R140D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,086库存量
|
|
|
¥25.5606
|
|
|
¥16.5432
|
|
|
¥11.3339
|
|
|
¥9.1869
|
|
|
¥7.9439
|
|
|
查看
|
|
|
¥8.5202
|
|
|
¥7.5371
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R200D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥22.1706
-
2,182库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R200D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,182库存量
|
|
|
¥22.1706
|
|
|
¥14.1476
|
|
|
¥9.5937
|
|
|
¥7.6727
|
|
|
¥6.3732
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.9608
|
|
|
¥6.0229
|
|
|
¥5.7291
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R500D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥17.289
-
3,601库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R500D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
3,601库存量
|
|
|
¥17.289
|
|
|
¥10.9158
|
|
|
¥7.2433
|
|
|
¥5.7291
|
|
|
¥5.0172
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.1754
|
|
|
¥4.4183
|
|
|
¥4.1132
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Drive HB 600 V G5
- IGI60L1111B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥66.2519
-
3,016库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI60L1111B1MXUM
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Drive HB 600 V G5
|
|
3,016库存量
|
|
|
¥66.2519
|
|
|
¥47.234
|
|
|
¥43.2564
|
|
|
¥40.6122
|
|
|
查看
|
|
|
¥32.5101
|
|
|
¥39.6178
|
|
|
¥32.5101
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L1414B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥62.7037
-
2,646库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI60L1414B1MXUM
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,646库存量
|
|
|
¥62.7037
|
|
|
¥45.4938
|
|
|
¥42.5106
|
|
|
¥36.2278
|
|
|
查看
|
|
|
¥28.6229
|
|
|
¥35.482
|
|
|
¥32.0129
|
|
|
¥31.7643
|
|
|
¥28.6229
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L2727B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥45.3243
-
2,667库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI60L2727B1MXUM
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,667库存量
|
|
|
¥45.3243
|
|
|
¥31.7643
|
|
|
¥27.3799
|
|
|
¥25.8092
|
|
|
查看
|
|
|
¥24.2385
|
|
|
¥24.3176
|
|
|
¥24.2385
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L5050B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥35.482
-
2,379库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI60L5050B1MXUM
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,379库存量
|
|
|
¥35.482
|
|
|
¥24.6453
|
|
|
¥21.0971
|
|
|
¥19.9332
|
|
|
¥18.9388
|
|
|
¥16.5432
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥68.3198
-
2,970库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI65D1414A3MSXU
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2,970库存量
|
|
|
¥68.3198
|
|
|
¥45.991
|
|
|
¥35.3238
|
|
|
¥29.8659
|
|
|
¥27.2104
|
|
|
¥25.6397
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK048B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥13.0741
-
3,162库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGK048B041SXTSA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
3,162库存量
|
|
|
¥13.0741
|
|
|
¥8.6897
|
|
|
¥7.1755
|
|
|
¥6.893
|
|
|
查看
|
|
|
¥5.6161
|
|
|
¥6.4297
|
|
|
¥6.215
|
|
|
¥5.6161
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 20 W (85-580 VAC)
- INN3624C-H606-TL
- Power Integrations
-
1:
¥24.9843
-
1,440库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
869-INN3624C-H606-TL
新产品
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 20 W (85-580 VAC)
|
|
1,440库存量
|
|
|
¥24.9843
|
|
|
¥18.7806
|
|
|
¥17.1195
|
|
|
¥15.4697
|
|
|
¥13.1532
|
|
|
查看
|
|
|
¥14.6448
|
|
|
¥14.3058
|
|
|
¥13.9781
|
|
|
¥12.8255
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 35 W (85-580 VAC)
- INN3626C-H606-TL
- Power Integrations
-
1:
¥28.3743
-
1,592库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
869-INN3626C-H606-TL
新产品
|
Power Integrations
|
交流/直流转换器 35 W (85-580 VAC)
|
|
1,592库存量
|
|
|
¥28.3743
|
|
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¥21.3457
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¥19.6055
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¥17.6167
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¥15.0516
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查看
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¥16.7127
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¥16.4641
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¥16.046
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¥14.7239
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最低： 1
倍数： 1
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2,000
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栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
- LMG3410R150RWHT
- Texas Instruments
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1:
¥101.4062
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110库存量
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Mouser 零件编号
595-LMG3410R150RWHT
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Texas Instruments
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栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
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110库存量
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¥101.4062
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¥79.6537
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¥75.6874
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¥69.2351
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¥65.9242
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查看
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¥62.7828
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¥61.7884
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报价
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最低： 1
倍数： 1
:
250
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