|
|
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG612QTR
- STMicroelectronics
-
1:
¥31.6852
-
870库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-STDRIVEG612QTR
新产品
|
STMicroelectronics
|
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
870库存量
|
|
|
¥31.6852
|
|
|
¥23.8995
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥19.8541
|
|
|
查看
|
|
|
¥16.9613
|
|
|
¥18.7806
|
|
|
¥18.6902
|
|
|
¥18.1139
|
|
|
¥16.9613
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 75m, DPAK
- NTD100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥23.8204
-
2,440库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTD100N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 75m, DPAK
|
|
2,440库存量
|
|
|
¥23.8204
|
|
|
¥15.3002
|
|
|
¥10.4186
|
|
|
¥10.4186
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 250
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 75m, 8x8
- NTMT100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥24.7357
-
2,463库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTMT100N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 75m, 8x8
|
|
2,463库存量
|
|
|
¥24.7357
|
|
|
¥15.9669
|
|
|
¥11.0062
|
|
|
¥11.0062
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 246
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V,101m, 8x8
- NTMT130N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥22.5774
-
2,472库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTMT130N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V,101m, 8x8
|
|
2,472库存量
|
|
|
¥22.5774
|
|
|
¥14.5544
|
|
|
¥10.0118
|
|
|
¥10.0118
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 248
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 132m, 8x8
- NTMT170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥12.5769
-
2,500库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTMT170N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 132m, 8x8
|
|
2,500库存量
|
|
|
¥12.5769
|
|
|
¥8.3507
|
|
|
¥6.9269
|
|
|
¥6.9269
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 250
:
250
|
|
|
|
|
栅极驱动器 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
- LMG3411R050RWHT
- Texas Instruments
-
1:
¥265.1093
-
37库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3411R050RWHT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
|
|
37库存量
|
|
|
¥265.1093
|
|
|
¥214.6435
|
|
|
¥201.9875
|
|
|
¥192.4842
|
|
|
¥182.1447
|
|
|
查看
|
|
|
¥180.9017
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
- LMG3410R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
¥104.4685
-
110库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3410R150RWHT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
|
|
110库存量
|
|
|
¥104.4685
|
|
|
¥82.0493
|
|
|
¥76.6818
|
|
|
¥70.4781
|
|
|
¥67.1672
|
|
|
查看
|
|
|
¥64.1049
|
|
|
¥63.0314
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
- LMG3411R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
¥119.5201
-
140库存量
|
Mouser 零件编号
595-LMG3411R150RWHT
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
|
|
140库存量
|
|
|
¥119.5201
|
|
|
¥94.2985
|
|
|
¥88.0044
|
|
|
¥81.8007
|
|
|
¥77.5858
|
|
|
查看
|
|
|
¥74.1958
|
|
|
¥73.3709
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK120B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥10.3395
-
3,188库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGK120B041SXTSA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
3,188库存量
|
|
|
¥10.3395
|
|
|
¥4.8138
|
|
|
¥4.2714
|
|
|
¥3.3222
|
|
|
¥2.4182
|
|
|
查看
|
|
|
¥3.2657
|
|
|
¥3.051
|
|
|
¥2.2374
|
|
|
¥2.1809
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥41.9343
-
728库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT140R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
728库存量
|
|
|
¥41.9343
|
|
|
¥29.945
|
|
|
¥22.4983
|
|
|
¥21.6734
|
|
|
查看
|
|
|
¥15.5488
|
|
|
¥18.3625
|
|
|
¥15.5488
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥33.335
-
790库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT190R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
790库存量
|
|
|
¥33.335
|
|
|
¥16.9613
|
|
|
¥15.3906
|
|
|
¥12.656
|
|
|
¥10.4186
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT1D5R10MEA
- STMicroelectronics
-
1:
¥68.5684
-
340库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT1D5R10MEA
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
340库存量
|
|
|
¥68.5684
|
|
|
¥48.3075
|
|
|
¥39.0415
|
|
|
¥34.7362
|
|
|
¥27.8771
|
|
|
¥27.8771
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
¥31.5948
-
792库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT240R70ILB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
792库存量
|
|
|
¥31.5948
|
|
|
¥15.9669
|
|
|
¥14.4753
|
|
|
¥14.4753
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
¥23.165
-
552库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT350R70GTK
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
552库存量
|
|
|
¥23.165
|
|
|
¥11.413
|
|
|
¥10.2604
|
|
|
¥8.2377
|
|
|
¥6.8817
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.9439
|
|
|
¥6.2828
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT3D5R10MEB
- STMicroelectronics
-
1:
¥30.7699
-
350库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-SGT3D5R10MEB
新产品
|
STMicroelectronics
|
GaN 场效应晶体管 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
350库存量
|
|
|
¥30.7699
|
|
|
¥20.1027
|
|
|
¥20.1027
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 50
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG212QTR
- STMicroelectronics
-
1:
¥24.4871
-
685库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-STDRIVEG212QTR
新产品
|
STMicroelectronics
|
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
685库存量
|
|
|
¥24.4871
|
|
|
¥18.3625
|
|
|
¥16.7918
|
|
|
¥15.0516
|
|
|
¥12.8255
|
|
|
查看
|
|
|
¥14.3058
|
|
|
¥13.9781
|
|
|
¥13.899
|
|
|
¥12.5769
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624YREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥55.7542
-
1,800库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624YREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
1,800库存量
|
|
|
¥55.7542
|
|
|
¥42.7253
|
|
|
¥39.5274
|
|
|
¥35.9566
|
|
|
查看
|
|
|
¥32.0468
|
|
|
¥34.4763
|
|
|
¥33.8774
|
|
|
¥33.6966
|
|
|
¥32.0468
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 132m, DPAK
- NTD170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
¥16.9613
-
2,488库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
863-NTD170N70GN1TXG
新产品
|
onsemi
|
GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 132m, DPAK
|
|
2,488库存量
|
|
|
¥16.9613
|
|
|
¥10.8367
|
|
|
¥7.2885
|
|
|
¥7.2885
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 249
:
250
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥105.542
-
3,813库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R025D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
3,813库存量
|
|
|
¥105.542
|
|
|
¥59.6414
|
|
|
¥58.7261
|
|
|
¥56.3305
|
|
|
¥49.7087
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
- EPC23102
- EPC
-
1:
¥70.8849
-
6,459库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC23102
新产品
|
EPC
|
栅极驱动器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
|
|
6,459库存量
|
|
|
¥70.8849
|
|
|
¥55.0084
|
|
|
¥51.0308
|
|
|
¥46.6464
|
|
|
查看
|
|
|
¥39.8664
|
|
|
¥44.5785
|
|
|
¥43.3468
|
|
|
¥42.1829
|
|
|
¥39.8664
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
¥63.6868
-
19,224库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2367
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
|
|
19,224库存量
|
|
|
¥63.6868
|
|
|
¥34.6571
|
|
|
¥31.7643
|
|
|
¥30.1936
|
|
|
¥26.8827
|
|
|
¥23.2441
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE140-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
¥38.3748
-
2,405库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
771-GANE140-700BBAZ
新产品
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2,405库存量
|
|
|
¥38.3748
|
|
|
¥22.7469
|
|
|
¥18.7806
|
|
|
¥15.7183
|
|
|
¥14.8934
|
|
|
¥11.9893
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R140D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥23.7413
-
2,036库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R140D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,036库存量
|
|
|
¥23.7413
|
|
|
¥11.7407
|
|
|
¥10.5881
|
|
|
¥8.5202
|
|
|
¥8.1925
|
|
|
¥7.5371
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R200D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥19.9332
-
2,182库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R200D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,182库存量
|
|
|
¥19.9332
|
|
|
¥9.6728
|
|
|
¥8.6897
|
|
|
¥6.9269
|
|
|
¥5.7517
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.7461
|
|
|
¥5.1867
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R500D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥15.3906
-
3,321库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGD70R500D2SAUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
3,321库存量
|
|
|
¥15.3906
|
|
|
¥7.345
|
|
|
¥6.554
|
|
|
¥5.1754
|
|
|
¥4.4183
|
|
|
查看
|
|
|
¥4.9607
|
|
|
¥3.7968
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
