|
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥61.5398
-
2,970库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI65D1414A3MSXU
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2,970库存量
|
|
|
¥61.5398
|
|
|
¥41.6066
|
|
|
¥30.3518
|
|
|
¥29.6173
|
|
|
¥27.1313
|
|
|
¥24.069
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥23.7413
-
4,815库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R200D2XUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
4,815库存量
|
|
|
¥23.7413
|
|
|
¥15.3906
|
|
|
¥10.5881
|
|
|
¥8.5202
|
|
|
¥6.6557
|
|
|
查看
|
|
|
¥7.9552
|
|
|
¥7.8083
|
|
|
¥6.4975
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLT65R035D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥90.9085
-
1,673库存量
-
1,800预期 2027/1/28
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLT65R035D2ATMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
1,673库存量
1,800预期 2027/1/28
|
|
|
¥90.9085
|
|
|
¥50.4545
|
|
|
¥47.8894
|
|
|
¥46.6464
|
|
|
查看
|
|
|
¥39.2901
|
|
|
¥41.9343
|
|
|
¥39.2901
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥110.9999
-
752库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGOT65R025D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
752库存量
|
|
|
¥110.9999
|
|
|
¥82.1397
|
|
|
¥68.4893
|
|
|
¥59.7996
|
|
|
¥49.7991
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGOT65R045D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥73.0432
-
2,068库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGOT65R045D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
2,068库存量
|
|
|
¥73.0432
|
|
|
¥49.7991
|
|
|
¥43.0078
|
|
|
¥29.7755
|
|
|
¥29.5269
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R140D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥33.5045
-
1,518库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R140D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1,518库存量
|
|
|
¥33.5045
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥15.3906
|
|
|
¥12.7351
|
|
|
¥10.8367
|
|
|
¥10.3395
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
- GANB8R0-040CBAZ
- Nexperia
-
1:
¥20.1027
-
2,071库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
771-GANB8R0-040CBAZ
新产品
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
|
|
2,071库存量
|
|
|
¥20.1027
|
|
|
¥9.8423
|
|
|
¥8.7688
|
|
|
¥6.9947
|
|
|
¥5.8195
|
|
|
查看
|
|
|
¥6.78
|
|
|
¥5.2432
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
- QPD1035L
- Qorvo
-
1:
¥3,044.5929
-
76库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1035L
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged
|
|
76库存量
|
|
|
¥3,044.5929
|
|
|
¥2,678.8571
|
|
|
¥2,407.4424
|
|
|
¥2,407.4424
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
栅极驱动器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
- MASTERGAN3TR
- STMicroelectronics
-
1:
¥46.4091
-
461库存量
|
Mouser 零件编号
511-MASTERGAN3TR
|
STMicroelectronics
|
栅极驱动器 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
|
|
461库存量
|
|
|
¥46.4091
|
|
|
¥37.7985
|
|
|
¥35.6515
|
|
|
¥34.8266
|
|
|
¥34.1599
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
- TP65H030G4PRS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥88.0948
-
1,806库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PRS-TR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
|
|
1,806库存量
|
|
|
¥88.0948
|
|
|
¥48.8838
|
|
|
¥46.3187
|
|
|
¥40.3636
|
|
|
¥37.7985
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,300
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
- TP65H030G4PWS
- Renesas Electronics
-
1:
¥91.982
-
1,102库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-TP65H030G4PWS
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
|
|
1,102库存量
|
|
|
¥91.982
|
|
|
¥51.2003
|
|
|
¥47.3922
|
|
|
¥41.1885
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
- VIPERGAN50WTR
- STMicroelectronics
-
1:
¥23.6622
-
1,469库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
511-VIPERGAN50WTR
新产品
|
STMicroelectronics
|
交流/直流转换器 Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
|
|
1,469库存量
|
|
|
¥23.6622
|
|
|
¥17.6958
|
|
|
¥16.2155
|
|
|
¥14.5544
|
|
|
查看
|
|
|
¥12.4074
|
|
|
¥13.8086
|
|
|
¥13.3227
|
|
|
¥12.9046
|
|
|
¥12.8255
|
|
|
¥12.4074
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG2652RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥101.0898
-
1,108库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2652RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
1,108库存量
|
|
|
¥101.0898
|
|
|
¥78.8627
|
|
|
¥73.3822
|
|
|
¥67.3141
|
|
|
查看
|
|
|
¥58.1046
|
|
|
¥63.9241
|
|
|
¥62.6246
|
|
|
¥61.2347
|
|
|
¥58.1046
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
- LMG2656RFBR
- Texas Instruments
-
1:
¥84.863
-
1,997库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG2656RFBR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 230mohm GaN ha lf-bridge with integ
|
|
1,997库存量
|
|
|
¥84.863
|
|
|
¥66.2519
|
|
|
¥61.5398
|
|
|
¥56.4096
|
|
|
查看
|
|
|
¥49.3019
|
|
|
¥54.5903
|
|
|
¥53.9349
|
|
|
¥53.2682
|
|
|
¥49.3019
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器
- LMG3614REQR
- Texas Instruments
-
1:
¥52.5224
-
1,997库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3614REQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器
|
|
1,997库存量
|
|
|
¥52.5224
|
|
|
¥40.2845
|
|
|
¥37.2222
|
|
|
¥33.8322
|
|
|
查看
|
|
|
¥31.6852
|
|
|
¥32.2615
|
|
|
¥31.6852
|
|
|
¥31.6852
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 1,001
:
2,000
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥55.7542
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3624ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
|
¥55.7542
|
|
|
¥42.7253
|
|
|
¥39.5274
|
|
|
¥35.9566
|
|
|
查看
|
|
|
¥34.4763
|
|
|
¥33.8774
|
|
|
¥33.6966
|
|
|
¥32.0468
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3626ZREQR
- Texas Instruments
-
1:
¥47.1436
-
2,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
595-LMG3626ZREQR
新产品
|
Texas Instruments
|
栅极驱动器 650V 270mohm GaN FET with integrated dri
|
|
2,000库存量
|
|
|
¥47.1436
|
|
|
¥35.9792
|
|
|
¥33.1655
|
|
|
¥30.1032
|
|
|
查看
|
|
|
¥28.7811
|
|
|
¥28.2839
|
|
|
¥28.0353
|
|
|
¥26.7132
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
¥34.578
-
2,376库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2090
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
2,376库存量
|
|
|
¥34.578
|
|
|
¥22.7469
|
|
|
¥15.9669
|
|
|
¥13.4018
|
|
|
¥12.0797
|
|
|
查看
|
|
|
¥13.0741
|
|
|
¥11.5825
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
¥80.4786
-
1,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
65-EPC2091
新产品
|
EPC
|
GaN 场效应晶体管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
1,000库存量
|
|
|
¥80.4786
|
|
|
¥55.1666
|
|
|
¥41.4371
|
|
|
¥41.2789
|
|
|
¥37.4708
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥60.0482
-
2,113库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R055D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,113库存量
|
|
|
¥60.0482
|
|
|
¥40.5331
|
|
|
¥29.4478
|
|
|
¥27.9562
|
|
|
¥25.6397
|
|
|
¥22.7469
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R080D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥50.2963
-
959库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R080D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
959库存量
|
|
|
¥50.2963
|
|
|
¥26.4646
|
|
|
¥24.1481
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥21.1762
|
|
|
¥17.9444
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R110D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥39.6178
-
2,537库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R110D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,537库存量
|
|
|
¥39.6178
|
|
|
¥20.4304
|
|
|
¥18.532
|
|
|
¥16.046
|
|
|
¥12.9837
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R140D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥34.0017
-
2,657库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R140D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,657库存量
|
|
|
¥34.0017
|
|
|
¥21.4248
|
|
|
¥15.6279
|
|
|
¥12.9837
|
|
|
¥10.6672
|
|
|
¥10.5881
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥32.2615
-
4,511库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R140D2XUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
|
|
4,511库存量
|
|
|
¥32.2615
|
|
|
¥21.1762
|
|
|
¥14.803
|
|
|
¥12.1588
|
|
|
¥11.6616
|
|
|
¥9.8423
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥20.679
-
4,699库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLR65R270D2XUMA
新产品
|
Infineon Technologies
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GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES
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4,699库存量
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¥20.679
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¥6.5879
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5,000
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