IPDD60R180CM8 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,284库存量
剪切带
¥27.3008
¥15.7183
¥12.2379
¥9.9214
¥9.0174
卷轴
¥8.8479
最低： 1
倍数： 1
: 1,700
Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 180 mOhms 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
152库存量
剪切带
¥32.5892
¥23.7413
¥19.6055
¥19.0292
¥18.532
¥17.9444
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT HDSOP-10-1 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 170 mOhms 20 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape