结果: 4
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET TO263 1.7KV 16A N-CH
数据表
无库存交货期 42 周
最低： 300
倍数： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 16 A - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement BIMOSFET Tube
IXYS MOSFET
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS MOSFET
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube