5G射频JFET和LDMOS FET

MACOM 5G射频结型场效应晶体管(JFET)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) FET是散热增强型大功率晶体管,用于下一代无线传输。这些器件采用碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术、输入匹配、高效率以及带无耳法兰的散热增强型表面贴装封装。MACOM 5G射频JFET和LDMOS FET非常适合用于多标准蜂窝功率放大器应用。 

晶体管类型

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结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
MACOM GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 53库存量
剪切带
¥1,785.4113
¥1,518.607
¥1,506.7985
卷轴
¥1,506.7985
最低: 1
倍数: 1
: 50
GaN FETs GaN Screw Mount H-87265J-2 N-Channel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90库存量
剪切带
¥975.8793
¥815.8261
¥791.7571
卷轴
最低: 1
倍数: 1
: 250
RF MOSFETs Si Screw Mount HB2SOF-8-1 N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17库存量
剪切带
¥1,224.1742
¥1,034.1421
卷轴
¥986.8177
最低: 1
倍数: 1
: 50
GaN FETs GaN Screw Mount H-87265J-2 N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
GaN FETs GaN Screw Mount H-37248C-4 N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
GaN FETs GaN Screw Mount H-37248C-4 N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
GaN FETs GaN Screw Mount H-37248C-4 N-Channel