结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
数据表
产品评论
109,163库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V + 175 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
数据表
产品评论
1,858库存量
6,000预期 2026/9/4
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel