40 W 晶体管

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封装 / 箱体
晶体管极性


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount N-Channel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 160
倍数： 160
: 160

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT A2-3 N-Channel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 40
RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT 319-07 N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 50
倍数： 10

GaN FETs GaN SMD/SMT Die N-Channel