500 W 晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD 105库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1250-1-5 Dual N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY 120库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFETs LDMOS Screw Mount SOT539A-5 Dual N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP 110库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT OMP-780-4F-1-4 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP 57库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT OMP-780-6F-1-7 Dual N-Channel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V 无库存交货期 15 周
最低: 1
倍数: 1
: 50

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount NI-780H-2 N-Channel
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt

GaN FETs GaN Screw Mount 440217 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1250-1-5 N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-500A/PALLET/REELDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1273-1-5 Dual N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-500A/PALLET/TRAYDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1273-1-5 Dual N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1273-1-5 Dual N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1273-1-5 Dual N-Channel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-505A/SOT1273/TRAYDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1273-1-5 Dual N-Channel