TO-247-4 晶体管

结果: 440
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
420预期 2026/10/22
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
240预期 2026/10/29
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
240预期 2027/3/18
最低: 1
倍数: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
WeEn Semiconductors 碳化硅MOSFET WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
480预期 2026/11/5
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4, Industrial
450预期 2026/11/23
最低: 1
倍数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 3,600工厂有库存
最低: 450
倍数: 450

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM 无库存交货期 8 周
最低: 240
倍数: 240

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
SanRex 碳化硅MOSFET SiC MOSFET TO-247 Single 1200V 无库存交货期 26 周
最低: 30
倍数: 30

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L 无库存交货期 18 周
最低: 1,200
倍数: 600

GaN FETs GaN Through Hole TO-247-4 N-Channel
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247- 无库存交货期 31 周
最低: 600
倍数: 600

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247 无库存交货期 15 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag 无库存交货期 26 周
最低: 600
倍数: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package 无库存交货期 26 周
最低: 600
倍数: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package 无库存交货期 26 周
最低: 600
倍数: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L 无库存交货期 29 周
最低: 450
倍数: 450

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
463预期 2027/8/20
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel