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IPD60R280P7ATMA1

Name: Infineon IPD60R280P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R280P7ATMA1
Price: 18.45 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPD60R280P7ATMA1

制造商编号：

IPD60R280P7ATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET LOW POWER_NEW

数据表:

IPD60R280P7ATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	214 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	18 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	53 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	9 ns
峰值焊接温度:	+ 260 C
引脚数:	3
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	CoolMOS P7
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	60 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
零件号别名:	IPD60R280P7 SP001658316
单位重量:	330 mg

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Application Notes

Product Catalogs

SPICE Models

MOSFET CoolMOS™ P7 600V PSpice (邮政)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650V CoolMOS™ CFD7A SJ功率MOSFET

英飞凌科技 650V CoolMOS ™ CFD7A SJ功率MOSFET适用于电动汽车应用，例如车载充电器、高压-低压直流-直流转换器和辅助电源。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET提高了宇宙辐射稳健性，因此能够以与前几代产品和其他市场产品相当的可靠性施加更高的电池电压。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET可确保硬开关和谐振开关拓扑的高效率，特别是在轻负载条件下。在与前几代产品相当的栅极损耗水平下实现更高开关频率。系统重量轻、占用空间小，因此设计更加紧凑。

CoolMOS™ P7 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFET 的性价比属同类最佳，简单易用，能够应对各种应用的挑战。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET开发用于反激式低功耗SMPS应用，包括适配器和充电器、照明、音频SMPS、AUX和工业电源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不仅设计用于小功率应用，而且还用于大功率SMPS应用，如太阳能逆变器、服务器、电信和电动汽车充电站。P7 MOSFET经过彻底优化，用于硬开关和软开关拓扑结构。

CoolMOS™ 7超级结MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7超级结MOSFET为能源效率、功率密度和简单易用设立了新标准。CoolMOS 7技术针对特定应用进行优化，采用创新的封装，集成了各种技术。CoolMOS 7 MOSFET非常适合用于让电动汽车充电站更小巧、输出更高、充电更快的应用。由于CoolMOS 7的出现，新一代适配器和充电器更小巧、更轻盈、更高效。通过CoolMOS 7，工程师可以让可再生能源系统更经济、更高效。

600V CoolMOS P7功率晶体管

Infineon 600V CoolMOS P7功率晶体管是第7代器件，采用高压功率MOSFET的革命性技术。该款晶体管按照超级结 (SJ) 原理进行设计，由Infineon Technologies首创。600V CoolMOS P7将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合。600V P7具有极低的振铃倾向、针对硬换向的优异的体二极管耐受性，以及出色的ESD能力。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用变得更高效、更紧凑、散热性能更佳。
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USB-C充电器和适配器

英飞凌科技提供量身定制的半导体产品，充分考虑客户的优先需求，在价格/性能与（超）高功率密度之间取得平衡。其产品组合涵盖完整的USB-C™ 电源产品链，从HV/LV电源开关到PWM控制器、用于供电的USB-C控制器以及ESD保护器件。

CoolMOS™超级结MOSFET

英飞凌CoolMOS™ 功率晶体管具有快速开关SJ MOSFET的所有优势。与CoolMOS 7代结合使用，英飞凌继续设定价格、性能和质量基准。

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。