NOVTECH 碳化硅MOSFET

结果: 24
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
164库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
120库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
97库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
58库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 71 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 137 nC - 55 C + 175 C 371 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
115库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
71库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 119 A 22 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 194 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
95库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
31库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 700 V 75 A 44 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 93 nC - 55 C + 175 C 304 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 700 V 46 A 75 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 56 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement

Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 3300V 25 mOhm TO-247-4 Notch
数据表
87预期 2026/8/27
最低： 1
倍数： 1

TO-247-4 3.3 kV 104 A 25 mOhms - 55 C + 150 C
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 12 mOhm TO-247-4 Notch
Through Hole TO-247-4 1.2 kV 12 mOhms
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
数据表

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 12 mOhm TO-247-4 Notch
Through Hole TO-247-4 1.2 kV 12 mOhms
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 360 mOhm TO-247-4 Notch
数据表

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 12 A 450 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247-4 Notch
数据表

Through Hole TO-247-4 1 Channel 700 V 34 A 112 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
数据表

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 100 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 64 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247-4 Notch
数据表

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 21 A 225 mOhms - 10 V, + 23 V 5 V 36 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Microchip Technology MSC015SMB170B4N
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700V 15 mOhm TO-247-4 Notch

TO-247-7 1.7 kV 15 mOhms
Microchip Technology MSC035SMB170B4N
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700V 35 mOhm TO-247-4 Notch

TO-247-7 1.7 kV 35 mOhms
Microchip Technology MSC1000SMB170B4N
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1700V 1000 mOhm TO-247-4 Notch

TO-247-7 1.7 kV 1000 mOhms'