NXH003P120M3F2PTNG

Name: onsemi NXH003P120M3F2PTNG
Brand: onsemi
SKU: 863-H003P120M3F2PTNG
Price: 1932.77 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-H003P120M3F2PTNG

制造商编号：

NXH003P120M3F2PTNG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET模块 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

数据表:

NXH003P120M3F2PTNG 数据表

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
安装风格:	Press Fit
封装 / 箱体:	PIM-36
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	435 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.88 mohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	1.482 kW
系列:	NXH003P120M3F2PTNG
封装:	Tray
商标:	onsemi
配置:	Half Bridge
下降时间:	16 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	17 ns
工厂包装数量:	20
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EliteSiC
类型:	Half Bridge
典型关闭延迟时间:	144 ns
典型接通延迟时间:	49 ns
Vf - 正向电压:	4.8 V

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数据表

NXH003P120M3F2PTNG 数据表

合规代码

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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