MSC017SMA120x碳化硅N沟道功率MOSFET

Microchip Technology MSC017SMA120x碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 封装
Microchip Technology MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268 160库存量
¥393.9745
¥356.3455
¥346.5823
¥339.9605
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 357 W Tube
Microchip Technology MOSFET模块 MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227 349库存量
¥403.2518
¥371.8152
¥323.519
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 278 W Tube