NXH004P120M3F2PNG

onsemi
863-XH004P120M3F2PNG
NXH004P120M3F2PNG

制造商：

说明：
分立半导体模块 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
SiC Modules
Half Bridge
SiC
5.1 V
- 10 V, + 22 V
Press Fit
PIM-36
- 40 C
+ 175 C
NXH004P120M3F2PNG
Tray
商标: onsemi
配置: Half Bridge
下降时间: 15 ns
Id-连续漏极电流: 338 A
Pd-功率耗散: 1.098 kW
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 20
子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: EliteSiC
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 127 ns
典型接通延迟时间: 49 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

库存量: 20

库存：
20 可立即发货
生产周期：
49 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥1,960.4483 ¥1,960.45
¥1,843.5724 ¥18,435.72

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