Half Bridge IGBT 模块

结果: 37
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 封装
onsemi NXH80T120L2Q0S2G
onsemi IGBT 模块 PIM 1200V 80A TNPC STANDARD PINOUT 23库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Half Bridge 1.2 kV 2.05 V 80 A 300 nA 158 W - 40 C + 150 C Tray
IXYS IGBT 模块 XPT IGBT Module 2库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.8 V 465 A 300 uA 1.5 kW - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology APTGT200A120G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6C 4库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 280 A 500 nA 890 W SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50A120T1G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP1 25库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 75 A 400 nA 277 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Infineon Technologies IGBT 模块 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode 30库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY PLUS 29库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Half Bridge 1.2 kV 2.55 V 175 A 100 nA 20 mW EasyPACK - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module 30库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module 28库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Vishay Semiconductors IGBT 模块 Modules IGBT - IAP IGBT 25库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT 模块 Modules IGBT - IAP IGBT 15库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk


Vishay Semiconductors IGBT 模块 MTP - HALF BRIDGE IGBT 41库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Half Bridge 1.2 kV 2.24 V 75 A 250 nA 305 W MTP - 40 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors IGBT 模块 Modules IGBT - IAP IGBT 1库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL1 9库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Vishay Semiconductors IGBT 模块 Modules IGBT - IAP IGBT
75在途量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Infineon Technologies IGBT 模块 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
30在途量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Vishay Semiconductors IGBT 模块 Modules IGBT - IAP IGBT
30预期 2026/10/20
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk

Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP1 无库存交货期 26 周
最低: 13
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 1.7 kV 2 V 75 A 400 nA 312 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP1 无库存交货期 26 周
最低: 19
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 600 V 1.5 V 100 A 600 nA 250 W SP-1 - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 3 A N2DIP-26 + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I 无库存交货期 22 周
最低: 360
倍数: 360

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 5 A N2DIP-26 + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 5 A 13.6 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
onsemi IGBT 模块 PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN) 无库存交货期 20 周
最低: 24
倍数: 24

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 75 A 300 nA 82 W Q0PACK - 40 C + 175 C Tray
Microchip Technology APTGT100A60T1G
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP1 无库存交货期 26 周
最低: 17
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 600 V 1.5 V 150 A 400 nA 340 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT35A120T1G
Microchip Technology IGBT 模块 Trench Field Stop 1200V 55A 208W 无库存交货期 26 周
最低: 18
倍数: 1

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 55 A 400 nA 208 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Vishay Semiconductors VS-GT400TH60N
Vishay Semiconductors IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT 无库存
最低: 12
倍数: 12

IGBT Modules Half Bridge 600 V 1.6 V 530 A 400 nA 1.6 kW INT-A-PAK + 175 C