NXH800H120L7QDSG

Name: onsemi NXH800H120L7QDSG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH800H120L7QDSG
Price: 1769.39 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NXH800H120L7QDSG

制造商编号：

NXH800H120L7QDSG

制造商：

onsemi

说明：

IGBT 模块 1200V 800A QDUAL3

数据表:

NXH800H120L7QDSG 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	IGBT 模块
RoHS:
产品:	IGBT Modules
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.65 V
在25 C的连续集电极电流:	1.6 kA
栅极—射极漏泄电流:	80 nA
Pd-功率耗散:	34.2 mW
封装 / 箱体:	PIM-11
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tray
商标:	onsemi
栅极/发射极最大电压:	20 V
安装风格:	Screw Mount
产品类型:	IGBT Modules
系列:	NXH800H120L7QDSG
工厂包装数量:	24
子类别:	Discrete and Power Modules
技术:	Si

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数据表

NXH800H120L7QDSG 数据表

PCN

合规代码

USHTS:: 8542390060
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

储能解决方案

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