5209 IGBT 模块

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
技术
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 100 A PIM IGBT module
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FF600R12ME4PB72BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 6
倍数： 6

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 20 mW - 40 C + 150 C Screw Mount Si Tray