SCHOTT IGBT 模块

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
技术
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EasyPACK 1B module with Trench/Fieldstop IGBT H5 and CoolSiC Schottky diode and NTC
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Module 650 V 1.18 V 100 nA - 40 C + 150 C Press Fit SiC Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EasyPACK HD3 module with TRENCHSTOP H7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Module 1.2 kV 1.22 V 195 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Screw Mount SiC Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Module 1.2 kV 1.69 V 255 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Press Fit SiC Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 & CoolSiC Schottky diode & PressFIT/NTC
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1
Si/SiC Hybrid Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.33 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Press Fit SiC, Si Tray