SWITCH 智能功率模 - IPM

结果: 13
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 集电极—发射极最大电压 VCEO 封装 / 箱体 安装风格 技术 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Module 59库存量
最低: 1
倍数: 1
: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si 33 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT IPM HSDIP25 Long Pin 44库存量
最低: 1
倍数: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si 59 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM IGBT IPM 600V 10A HSDIP25VC 60库存量
最低: 1
倍数: 1
: 60

600 V HSDIP-25VC Through Hole Si 33 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive 60库存量
最低: 1
倍数: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si 59 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT I. Pwr Mod Staggered type 54库存量
最低: 1
倍数: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25VC Through Hole Si 59 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM IGBT IPM 600V 15A HSDIP25 27库存量
最低: 1
倍数: 1
: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si 41 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive 11库存量
最低: 1
倍数: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si 33 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intl Pwr Module 45库存量
最低: 1
倍数: 1
: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si 33 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive 8库存量
最低: 1
倍数: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si 33 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM 600V IGBT Intl Pwr Module
60预期 2026/9/4
最低: 1
倍数: 1

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si 41 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM IGBT IPM 600V 10A HSDIP25VC 无库存交货期 22 周
最低: 60
倍数: 60
: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25VC Through Hole Si 33 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM IGBT IPM 600V 15A HSDIP25VC 无库存交货期 22 周
最低: 60
倍数: 60
: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25VC Through Hole Si 41 W - 25 C + 100 C
ROHM Semiconductor 智能功率模 - IPM IGBT IPM 600V 15A HSDIP25VC 无库存交货期 22 周
最低: 60
倍数: 60
: 60

600 V HSDIP-25VC Through Hole Si 41 W - 25 C + 100 C