Half Bridge MOSFET模块

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
onsemi MOSFET模块 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
数据表
8库存量
80在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
数据表
13库存量
40在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
数据表
1库存量
40预期 2026/8/18
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit PIM-36 N-Channel 1.2 kV 191 A 8 mOhms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 556 W NXH006P120M3F2PTHG Tray