Quad MOSFET模块

结果: 9
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 系列 封装
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC 4 Channel 1.2 kV 70 A 25 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
onsemi MOSFET模块 APM16 CAA H-BRIDGE SF3 42库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole APMCA-B16-16 - 20 V, + 20 V - 40 C + 125 C 135 W FAM65HR51DS2 Tube
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-FREDFET-8-SP1 14库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Screw Mount SP1-12 N-Channel 25 A 130 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 100 C 208 W Tube
ROHM Semiconductor MOSFET模块 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 56库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 4 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
onsemi MOSFET模块 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE 67库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 7

SiC Press Fit 42.5 mm x 33.8 mm N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 19 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 198 W NXH015F120M3F1PTG Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module 95库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module 95库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray