190 A MOSFET模块

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount 1.2 kV 190 A 4.44 mOhms - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V 5.1 V - 40 C + 175 C CoolSiC Tray
IXYS MOSFET模块 ISOPLUS 100V 190A 3-PH BRIDGE
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 104
倍数： 104
Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 100 V 190 A 2.2 mOhms - 15 V, + 15 V 2 V - 55 C + 150 C Tube