48 A MOSFET模块

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
IXYS MOSFET模块 TO220 200V 48A N-CH TRENCH
数据表
148库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 200 V 48 A 50 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 250 W Tube
IXYS MOSFET模块 500V 48A
数据表
1,323库存量
1,250预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 48 A 100 mOhms - 20 V, + 20 V - 55 C + 150 C 520 W HiPerFET Tube