结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 系列 封装
onsemi MOSFET模块 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE 30库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 91 A 11.9 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 272 W NXH011T120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 13库存量
40在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET模块 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE 19库存量
60在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 129 A 8.5 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 371 W NXH008T120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 5库存量
80在途量
最低: 1
倍数: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 1库存量
40预期 2026/8/18
最低: 1
倍数: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray


onsemi MOSFET模块 30KW Q1BOOST FULL SIC 6库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC - 40 C + 150 C 156 W NXH40B120MNQ1 Tray
onsemi MOSFET模块 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 11,160工厂有库存
最低: 1
倍数: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray