Tube AEC-Q100 MOSFET模块

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
封装
STMicroelectronics MOSFET模块 Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm
数据表
519库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC SMD/SMT N-Channel 1.2 kV 30 A 7.5 mOhms - 5 V, + 18 V 1.9 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics MOSFET模块 Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 12
数据表

Press Fit 6 Channel 1.2 kV 30 A 114 mOhms - 10 V to + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube