SWITCH MOSFET模块

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 系列 封装
Microchip Technology APTM100UM65SAG
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-7-SP6C 11库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Screw Mount SP6 N-Channel 1 kV 145 A 78 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 3.25 kW Tube
Infineon Technologies MOSFET模块 HybridPACK Drive G2 with Si/SiC Fusion switch: Compact 750V B6-bridge power module optimized for traction inverter applications 3库存量
最低: 1
倍数: 1

Si, SiC Screw Mount 750 V 5.15 mOhms - 10 V, + 23 V 4 V - 40 C + 175 C HybridPACK Tray
Vishay Semiconductors MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET 298库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 126 A 16.8 mOhms - 8 V, 19 V 2.5 V - 55 C + 175 C 535 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET 298库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 32.6 mOhms - 8 V, 19 V 1.7 V - 55 C + 175 C 468 W Tube
Vishay Semiconductors MOSFET模块 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET 141库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 12.1 mOhms - 8 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 750 W Tube
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
27预期 2026/9/9
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 2 V - 55 C + 175 C 142 W Tube
Microchip Technology APTM10UM01FAG
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-FREDFET-5-SP6C 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

Si Screw Mount - 30 V, + 30 V - 40 C + 150 C Tube
Microchip Technology APTM100UM45DAG
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-7-SP6C 无库存交货期 20 周
最低: 1
倍数: 1

Si Screw Mount - 30 V, + 30 V - 40 C + 150 C Tube