|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
- CGH40006P
- MACOM
-
1:
¥934.962
-
937库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40006P
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
|
|
937库存量
|
|
|
¥934.962
|
|
|
¥783.5759
|
|
|
¥730.6015
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
440109
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
- CGH40006S
- MACOM
-
1:
¥498.2848
-
796库存量
-
1,800在途量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40006S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
|
|
796库存量
1,800在途量
在途量:
800 预期 2026/9/11
1,000 预期 2027/2/3
|
|
|
¥498.2848
|
|
|
¥432.8578
|
|
|
¥406.0542
|
|
|
¥382.392
|
|
|
¥351.8707
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
200
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
QFN-6
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
- CGH40010F
- MACOM
-
1:
¥958.5903
-
2,261库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40010F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
|
|
2,261库存量
|
|
|
¥958.5903
|
|
|
¥797.3845
|
|
|
¥726.1719
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440166
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
- CGH40025F
- MACOM
-
1:
¥2,013.5696
-
767库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40025F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
|
|
767库存量
|
|
|
¥2,013.5696
|
|
|
¥1,723.137
|
|
|
¥1,620.1262
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440166
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
- CGH40045F
- MACOM
-
1:
¥3,881.8325
-
87库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40045F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
|
|
87库存量
|
|
|
¥3,881.8325
|
|
|
¥3,308.4479
|
|
|
¥3,148.4625
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440193
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
- CGH40120F
- MACOM
-
1:
¥4,614.5245
-
129库存量
-
175在途量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40120F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
|
|
129库存量
175在途量
在途量:
25 预期 2026/9/22
150 预期 2027/2/3
|
|
|
¥4,614.5245
|
|
|
¥3,932.8181
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440193
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
- CGH55015F2
- MACOM
-
1:
¥1,309.896
-
140库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH55015F2
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
|
|
140库存量
|
|
|
¥1,309.896
|
|
|
¥1,028.0627
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440166
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
- CGH60008D-GP4
- MACOM
-
10:
¥274.6239
-
570库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH60008D
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
|
|
570库存量
|
|
|
¥274.6239
|
|
|
¥257.1767
|
|
|
¥251.6058
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
- CGHV38375F
- MACOM
-
1:
¥11,132.308
-
20库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV38375F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
|
|
20库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440226
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGHV40030F
- MACOM
-
1:
¥2,131.4286
-
358库存量
-
250预期 2026/8/28
|
Mouser 零件编号
941-CGHV40030F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
358库存量
250预期 2026/8/28
|
|
|
¥2,131.4286
|
|
|
¥1,827.5264
|
|
|
¥1,807.9887
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440166
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
- CGHV40050F
- MACOM
-
1:
¥3,482.8408
-
68库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV40050F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
|
|
68库存量
|
|
|
¥3,482.8408
|
|
|
¥3,020.6143
|
|
|
¥2,905.0153
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
- CGHV59070F
- MACOM
-
1:
¥6,072.846
-
62库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV59070F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
|
|
62库存量
|
|
|
¥6,072.846
|
|
|
¥5,329.2269
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440224
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
- CGHV59350F
- MACOM
-
1:
¥20,626.6019
-
14库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV59350F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
|
|
14库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
MACOM CGHV27030S
- CGHV27030S
- MACOM
-
1:
¥686.3733
-
409库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV27030S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
409库存量
|
|
|
¥686.3733
|
|
|
¥571.4071
|
|
|
¥547.2477
|
|
|
¥547.2477
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
DFN-12
|
N-Channel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
- MRF166C
- MACOM
-
1:
¥935.0185
-
31库存量
-
120预期 2027/3/12
|
Mouser 零件编号
937-MRF166C
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
|
|
31库存量
120预期 2027/3/12
|
|
|
¥935.0185
|
|
|
¥777.779
|
|
|
¥708.4648
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
319-07
|
N-Channel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
- MRF422
- MACOM
-
1:
¥2,532.7594
-
41库存量
-
60预期 2027/2/17
|
Mouser 零件编号
937-MRF422
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
|
|
41库存量
60预期 2027/2/17
|
|
|
¥2,532.7594
|
|
|
¥2,110.3315
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
211-11
|
NPN
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
- UF28150J
- MACOM
-
1:
¥5,032.4437
-
20库存量
|
Mouser 零件编号
937-UF28150J
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
|
|
20库存量
|
|
|
¥5,032.4437
|
|
|
¥4,382.2982
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
375-04
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
- CG2H40120F
- MACOM
-
1:
¥5,560.6057
-
27库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40120F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
|
|
27库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
- CG2H80015D-GP4
- MACOM
-
10:
¥951.7312
-
30库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H80015D-GP4
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
|
|
30库存量
|
|
|
¥951.7312
|
|
|
¥933.9224
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
- CGH27015F
- MACOM
-
1:
¥1,128.7344
-
101库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH27015F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
|
|
101库存量
|
|
|
¥1,128.7344
|
|
|
¥881.287
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440166
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
- CGH27060F
- MACOM
-
1:
¥2,903.196
-
38库存量
-
50预期 2026/9/4
|
Mouser 零件编号
941-CGH27060F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
|
|
38库存量
50预期 2026/9/4
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440193
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 25W, 4.0GHz, 830124P, GaN HEMT, PILL
- CGH40025P
- MACOM
-
1:
¥2,103.2012
-
116库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40025P
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 25W, 4.0GHz, 830124P, GaN HEMT, PILL
|
|
116库存量
|
|
|
¥2,103.2012
|
|
|
¥1,823.8087
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
- CGHV27015S
- MACOM
-
1:
¥522.0261
-
74库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV27015S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
|
|
74库存量
|
|
|
¥522.0261
|
|
|
¥443.6041
|
|
|
¥417.9644
|
|
|
¥403.41
|
|
|
¥369.8264
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
DFN-12
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
- CGHV31500F
- MACOM
-
1:
¥12,368.6523
-
10库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV31500F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
|
|
10库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440217
|
N-Channel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF160
- MACOM
-
1:
¥923.3569
-
5库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF160
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
5库存量
|
|
|
¥923.3569
|
|
|
¥771.9934
|
|
|
¥749.1561
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
249-06
|
N-Channel
|
|