晶体管

结果: 2,989
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晶体管极性

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247
数据表
179预期 2026/9/1
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS 5 600 V 300 mOhm TO-247
数据表
44在途量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX
数据表
30在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
数据表
26预期 2026/9/14
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
数据表
98在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
数据表
10预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount N-Channel
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
数据表
60预期 2026/9/14
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
数据表
150预期 2026/10/9
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR
数据表
11预期 2026/12/21
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount N-Channel
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL2
数据表
3预期 2026/10/19
最低： 1
倍数： 1
IGBT Modules Si Screw Mount
Microchip Technology 2N4240
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
数据表
100预期 2027/1/4
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole NPN
Microchip Technology 2N4399
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 30A 5W PNP Power BJT THT
数据表
100预期 2027/2/15
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si
Microchip Technology 2N4898
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
数据表
100预期 2027/1/18
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si
Microchip Technology 2N5039
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 75V 20A NPN Power BJT THT
数据表
98预期 2027/1/18
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si
Microchip Technology 2N5785
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
数据表
93预期 2026/12/28
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si
Microchip Technology 2N6059
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 12A 150W NPN Power BJT THT
数据表
100预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3 NPN
Microchip Technology 2N6191
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
数据表
184预期 2027/3/1
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si
Microchip Technology 2N6228
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
数据表
100预期 2028/1/7
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si
Microchip Technology 2N6300
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 8A 75W NPN Power BJT THT
数据表
99预期 2027/8/2
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip Technology 2N6338
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 25A NPN Power BJT THT
数据表
80预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V Small-Signal BJT
数据表
73预期 2027/4/5
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-39-3 NPN
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 1.5A 1W Small-Signal BJT THT
数据表
90预期 2026/9/1
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-39-3 NPN
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V Small-Signal BJT
数据表
145预期 2027/2/15
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-18-3 PNP
Microchip Technology APT1001RBVFRG
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS 5 1000 V 1 Ohm TO-247
数据表
30预期 2027/1/7
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si
Microchip Technology APT10045LLLG
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS 7 1000 V 450 mOhm TO-264
数据表
51预期 2026/11/30
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel