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GCMX080B120S1-E1

Name: SemiQ GCMX080B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080B120S1-E1
Price: 214.7 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

148-GCMX080B120S1-E1

制造商编号：

GCMX080B120S1-E1

制造商：

SemiQ

说明：

MOSFET模块 SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227

数据表:

GCMX080B120S1-E1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SemiQ
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	SiC
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	77 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	142 W
封装:	Tube
商标:	SemiQ
配置:	Single
下降时间:	11 ns
If - 正向电流:	10 A
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	4 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
类型:	High Speed Switching
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
Vf - 正向电压:	3.8 V
Vr - 反向电压 :	1.2 kV

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已选择的属性: 0

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数据表

GCMX080B120S1-E1 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.