|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
- GTVA126001EC-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥9,785.1559
-
9库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA126001ECV1R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
|
|
9库存量
|
|
|
¥9,785.1559
|
|
|
¥9,785.1559
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
50
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
H-36248-2
|
N-Channel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,1025-1150MHz,50V,350pk
- MRF10350
- MACOM
-
1:
¥5,166.0323
-
24库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF10350
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,1025-1150MHz,50V,350pk
|
|
24库存量
|
|
|
¥5,166.0323
|
|
|
¥4,498.6769
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
- PH3135-90S
- MACOM
-
1:
¥6,057.1277
-
5库存量
|
Mouser 零件编号
937-PH3135-90S
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
|
|
5库存量
|
|
|
¥6,057.1277
|
|
|
¥5,318.6388
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
- FH2164
- MACOM
-
1:
¥1,420.2292
-
17库存量
|
Mouser 零件编号
937-FH2164
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
|
|
17库存量
|
|
|
¥1,420.2292
|
|
|
¥1,189.2911
|
|
|
¥1,166.7928
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,38V,9pk
MACOM MRF10031
- MRF10031
- MACOM
-
1:
¥2,614.6505
-
15库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF10031
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,960-1215MHz,38V,9pk
|
|
15库存量
|
|
|
¥2,614.6505
|
|
|
¥2,339.0435
|
|
|
¥2,216.8679
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
|
332A-3
|
NPN
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
MACOM DU2810S
- DU2810S
- MACOM
-
1:
¥945.2789
-
11库存量
|
Mouser 零件编号
937-DU2810S
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
|
|
11库存量
|
|
|
¥945.2789
|
|
|
¥790.2655
|
|
|
¥766.8632
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
MACOM MAPRST0912-50
- MAPRST0912-50
- MACOM
-
1:
¥6,549.1184
-
2库存量
|
Mouser 零件编号
937-MAPRST0912-50
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
|
|
2库存量
|
|
|
¥6,549.1184
|
|
|
¥5,750.5813
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C
- MAPC-A3005-ADTR1
- MACOM
-
1:
¥503.7427
-
1,000库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A3005-ADTR1
新产品
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C
|
|
1,000库存量
|
|
|
¥503.7427
|
|
|
¥415.727
|
|
|
¥393.7259
|
|
|
¥391.9857
|
|
|
¥368.4139
|
|
|
¥368.3348
|
|
最低: 1
倍数: 1
:
1,000
|
|
GaN FETs
|
GaN, SiC
|
SMD/SMT
|
PDFN-12
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Transistor,GaN,10W,DC-6GHz,3.6mm,Flange
- MAPC-A3006-AB000
- MACOM
-
1:
¥1,259.0121
-
200库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A3006-AB000
新产品
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Transistor,GaN,10W,DC-6GHz,3.6mm,Flange
|
|
200库存量
|
|
|
¥1,259.0121
|
|
|
¥1,064.2792
|
|
|
¥1,015.8248
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill
- MAPC-A3005-AS000
- MACOM
-
1:
¥1,195.0767
-
70库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A3005-AS000
新产品
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill
|
|
70库存量
|
|
|
¥1,195.0767
|
|
|
¥994.1062
|
|
|
¥905.6046
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN, SiC
|
SMD/SMT
|
440109-2
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5
- MAPC-A3007-AB000
- MACOM
-
1:
¥2,787.597
-
50库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A3007-AB000
新产品
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-8.0GHz, 25W, G28V5
|
|
50库存量
|
|
|
¥2,787.597
|
|
|
¥2,353.8578
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
|
SMD/SMT
|
440166
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5
- MAPC-A3008-AB000
- MACOM
-
1:
¥3,136.5636
-
50库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A3008-AB000
新产品
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5
|
|
50库存量
|
|
|
¥3,136.5636
|
|
|
¥2,648.5392
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
|
SMD/SMT
|
440166
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
- WST4050D-GP4
- MACOM
-
10:
¥299.9811
-
50库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-WST4050D-GP4
新产品
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
|
|
50库存量
|
|
|
¥299.9811
|
|
|
¥274.025
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN, SiC
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
- WST4100D-GP4
- MACOM
-
10:
¥1,383.5494
-
50库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-WST4100D-GP4
新产品
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
|
|
50库存量
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN, SiC
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
- WST4200D-GP4
- MACOM
-
10:
¥2,162.1759
-
50库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-WST4200D-GP4
新产品
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
|
|
50库存量
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN, SiC
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
- WST4300D-GP4
- MACOM
-
10:
¥2,645.6012
-
50库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-WST4300D-GP4
新产品
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
|
|
50库存量
|
|
|
¥2,645.6012
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 10
倍数: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN, SiC
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
- MRF137
- MACOM
-
1:
¥931.1313
-
233库存量
-
200预期 2027/2/16
|
Mouser 零件编号
937-MRF137
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
|
|
233库存量
200预期 2027/2/16
|
|
|
¥931.1313
|
|
|
¥774.5472
|
|
|
¥705.4816
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
211-07-3
|
N-Channel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
- MRF141G
- MACOM
-
1:
¥4,846.4118
-
38库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF141G
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
|
|
38库存量
|
|
|
¥4,846.4118
|
|
|
¥4,191.2152
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
375-04
|
N-Channel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
- MRF148A
- MACOM
-
1:
¥1,453.406
-
929库存量
|
Mouser 零件编号
937-MRF148A
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
|
|
929库存量
|
|
|
¥1,453.406
|
|
|
¥1,192.5116
|
|
|
¥1,157.4477
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
211-07-3
|
N-Channel
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
- MRF426
- MACOM
-
1:
¥1,186.8051
-
289库存量
-
300预期 2027/3/10
|
Mouser 零件编号
937-MRF426
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
|
|
289库存量
300预期 2027/3/10
|
|
|
¥1,186.8051
|
|
|
¥993.7446
|
|
|
¥975.0544
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
211-07
|
NPN
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
- MRF448
- MACOM
-
1:
¥2,388.5036
-
250库存量
-
120预期 2026/10/23
|
Mouser 零件编号
937-MRF448
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
|
|
250库存量
120预期 2026/10/23
|
|
|
¥2,388.5036
|
|
|
¥2,016.9483
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
211-11
|
NPN
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
- MRF454
- MACOM
-
1:
¥1,729.6797
-
570库存量
-
500预期 2026/12/4
|
Mouser 零件编号
937-MRF454
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
|
|
570库存量
500预期 2026/12/4
|
|
|
¥1,729.6797
|
|
|
¥1,471.2713
|
|
|
¥1,459.7679
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
211-11
|
NPN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
- CG2H40025F
- MACOM
-
1:
¥2,166.3456
-
420库存量
-
1,600在途量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40025F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
|
|
420库存量
1,600在途量
在途量:
880 预期 2026/10/16
720 预期 2026/10/26
|
|
|
¥2,166.3456
|
|
|
¥1,829.357
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440166
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 35W GaN HEMT 24V 4GHz Flange
- CG2H40035F
- MACOM
-
1:
¥2,851.4307
-
74库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40035F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 35W GaN HEMT 24V 4GHz Flange
|
|
74库存量
|
|
|
¥2,851.4307
|
|
|
¥2,407.7927
|
|
|
¥2,281.7751
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
- CGH21240F
- MACOM
-
1:
¥10,037.5527
-
67库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH21240F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
|
|
67库存量
|
|
最低: 1
倍数: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
|
|
|
|