Microchip 晶体管

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数量 RoHS 产品类型
技术
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封装 / 箱体
晶体管极性
Microchip / Microsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
数据表
1,530预期 2026/11/9
最低： 1
倍数： 1
否
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-18-3 PNP
Microchip / Microsemi JANS2N5154U3
Microchip / Microsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 2A 1W NPN Low Profile CER Power BJT SMT
数据表
43预期 2026/12/28
最低： 1
倍数： 1
BJTs - Bipolar Transistors Si
Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
数据表
24预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount N-Channel
Microchip Technology 2N2107
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
61预期 2028/1/7
最低： 1
倍数： 1
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip Technology 2N5344
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100预期 2027/2/22
最低： 1
倍数： 1
BJTs - Bipolar Transistors
Microchip Technology 2N5345
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
101预期 2027/2/22
最低： 1
倍数： 1
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-66 PNP
Microchip Technology 2N6053
Microchip Technology 达林顿晶体管 Power BJT
100预期 2028/1/7
最低： 1
倍数： 1
Darlington Transistors
Microchip Technology 2N6423
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
98预期 2027/5/3
最低： 1
倍数： 1

BJTs - Bipolar Transistors Si
Microchip Technology MSCSMC120XM047CT7NMG
Microchip Technology 碳化硅MOSFET PM-MOSFET-SIC-SBD-SP7HPD
数据表
1预期 2027/1/11
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3
数据表
10预期 2027/1/25
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Press Fit
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3
数据表
10预期 2027/1/25
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Press Fit
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3
数据表
10预期 2027/1/25
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Press Fit
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3
数据表
10预期 2027/1/25
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Press Fit
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-DP3
数据表
10预期 2027/1/25
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si Press Fit
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227
数据表
2预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules SiC SMD/SMT ISOTOP-4
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS 8 1000 V 18 A TO-268
数据表
50预期 2026/8/25
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS 8 1000 V 29 A TO-247 MAX
数据表
30在途量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS 8 500 V 42 A TO-247
数据表
89预期 2026/9/1
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
数据表
75预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247
数据表
179预期 2026/9/1
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS 5 600 V 300 mOhm TO-247
数据表
44在途量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX
数据表
30在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
数据表
26预期 2026/9/14
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
数据表
98在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
数据表
10预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Screw Mount N-Channel