SiC功率模块

ROHM Semiconductor SiC功率模块是在一个封装中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半桥SiC模块。这类模块能在减少开关损耗的同时高频运行。与现有解决方案相比,此优化设计减少了杂散电感。另外,为了防止发生过热情况,还提供了集成其他热敏电阻的E型模块。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 系列 封装
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module 44库存量
剪切带
¥9,436.743
卷轴
¥9,436.743
最低: 1
倍数: 1
: 4
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.7 kV 250 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.8 kW BSMx Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 4库存量
¥6,103.6159
¥5,998.6502
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 4库存量
¥5,906.2501
¥5,672.0011
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 1.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Mod: 1200V 180A (no Diode) 2库存量
¥4,477.3312
¥4,153.4958
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 1库存量
¥4,727.8861
¥4,538.2947
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 291 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 925 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 4库存量
¥8,845.075
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 567 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.78 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Mod: 1200V 120A (w/ Diode) 6库存量
¥3,747.7806
¥3,476.6371
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 2.3 V - 40 C + 150 C 935 W BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD 8库存量
¥5,739.9932
¥5,401.852
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 880 W BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFET模块 300A SiC Power Module 1库存量
¥7,742.4662
¥6,716.1211
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.875 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module 无库存交货期 27 周
¥3,638.0124
最低: 12
倍数: 12
SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 935 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 无库存交货期 27 周
¥5,013.7422
最低: 12
倍数: 12
SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 880 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module 无库存交货期 27 周
¥6,802.2384
¥6,487.7481
最低: 4
倍数: 4
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 SIC Pwr Module Half Bridge 无库存交货期 27 周
¥21,837.024
最低: 4
倍数: 4
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 无库存交货期 27 周
¥6,422.0725
¥5,610.7099
最低: 1
倍数: 1
SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 447 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.45 kW Bulk