TRENCHSTOP™ 5 H5（高速5）IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5（高速5）IGBT是一款高速器件，设计具有终极效率，适用于开关速率大于30kHz的应用。该款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP™ 5技术，集成了RAPID 1快速柔性反向并联二极管。H5 IGBT在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率，并且是上一代IGBT的即插即用替代品。典型应用包括UPS、焊接变流器、太阳能电池组列逆变器和中高频开关变频器。

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封装 / 箱体
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
1,425库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
1,270库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
615库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
480库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
279库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
数据表
382库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
数据表
396库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 模块 650 V, 40 A 3-level IGBT module
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETE SWITCHES
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 240
倍数： 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 240
倍数： 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4