Low Power Discrete Semiconductors for IoT

Toshiba Low Power Discrete Semiconductors include LDOs (Low Drop Out Regulators), Load Switches, ESD Suppressors, TVS Diodes, and Magnetic Hall Effect Sensors, ideal for small form-factor, low power IoT (Internet of Things) applications. 

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET 165,046库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-Signal MOSFET
30,000预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel