MOSFET – Mouser

跳到主内容

TTI Family of Specialists旗下成员联系贸泽（上海）免费电话: 400-821-6111反馈

更改位置中文¥ RMB

免费电话: 400-821-6111 更改位置

现货

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 4

已应用过滤器:

封装 / 箱体

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

商标名

封装

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET IXFT320N10T2 IXYS 1: ¥215.8865 975库存量 3,510在途量	制造商零件编号 IXFT320N10T2 Mouser 零件编号 747-IXFT320N10T2	IXYS	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET 了解更多关于IXYS gen2 trench gate mosfets 的信息	数据表	975库存量 3,510在途量订单发货日期制造商编号： IXFT320N10T2 库存： 975 可立即发货在途量: 60 预期 2026/12/14 1,650 预期 2027/2/1 1,800 预期 2027/2/15 生产周期： 22 周	¥215.8865 ¥152.1997 ¥140.12 ¥138.7188 报价报价	最低： 1 倍数： 1			Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	320 A	3.5 mOhms	20 V	4 V	430 nC	- 55 C	+ 175 C	1 kW	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET IXFA180N10T2 IXYS 1: ¥77.3372 1,910库存量 500预期 2026/10/7	制造商零件编号 IXFA180N10T2 Mouser 零件编号 747-IXFA180N10T2	IXYS	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET 了解更多关于IXYS gen2 trench gate mosfets 的信息	数据表	1,910库存量 500预期 2026/10/7	¥77.3372 ¥42.3524 ¥38.9624 ¥36.9736	最低： 1 倍数： 1			Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	100 V	180 A	6 mOhms	20 V	2 V	185 nC	- 55 C	+ 175 C	480 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds IXTA180N10T IXYS 1: ¥66.5005 1,478库存量 1,750在途量	制造商零件编号 IXTA180N10T Mouser 零件编号 747-IXTA180N10T	IXYS	MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds 了解更多关于IXYS gen1 trench gate mosfets 的信息	数据表	1,478库存量 1,750在途量订单发货日期制造商编号： IXTA180N10T 库存： 1,478 可立即发货在途量: 650 预期 2026/10/12 1,100 预期 2027/4/5 生产周期： 22 周	¥66.5005 ¥36.0696 ¥33.0073 ¥30.4422	最低： 1 倍数： 1			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	180 A	6.4 mOhms				- 55 C	+ 175 C	480 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET N-Channel Depletion Mode FET CPC3708ZTR IXYS 1: ¥21.5943 890预期 2027/1/18 寿命结束	制造商零件编号 CPC3708ZTR Mouser 零件编号 849-CPC3708ZTR 寿命结束	IXYS	MOSFET N-Channel Depletion Mode FET	数据表	890预期 2027/1/18	剪切带 ¥21.5943 ¥21.2553 卷轴 ¥6.8817	最低： 1 倍数： 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	350 V	5 mA	8 Ohms	20 V	3.6 V		- 40 C	+ 110 C	2.5 W	Depletion	Clare	Reel, Cut Tape