TO-3PF 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600 V 80 A 79 W
数据表
514库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 30

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
数据表
357库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 35 A 79 W - 55 C + 150 C STGWF30NC60S Tube


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
280库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 300

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40V60DF Tube