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RoHS

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TO-3PF 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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结果: 4

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封装 / 箱体 = TO-3PF

制造商

集电极—发射极最大电压 VCEO

集电极—射极饱和电压

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600 V 80 A 79 W FGAF40N60SMD onsemi 1: ¥48.0589 502库存量	制造商零件编号 FGAF40N60SMD Mouser 零件编号 512-FGAF40N60SMD	onsemi	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600 V 80 A 79 W 了解更多关于onsemi fgafx0n60 igbts 的信息	数据表	502库存量	¥48.0589 ¥27.2104 ¥22.4983	最低： 1 倍数： 1 最大： 360			Si	TO-3PF	Through Hole	Single	600 V	1.9 V	- 20 V, 20 V	80 A	115 W	- 55 C	+ 175 C	FGAF40N60SMD	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE STGWF30NC60S STMicroelectronics 1: ¥48.8047 357库存量	制造商零件编号 STGWF30NC60S Mouser 零件编号 511-STGWF30NC60S	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE 了解更多关于STMicroelectronics stm stgxx igbt 的信息	数据表	357库存量	¥48.8047 ¥32.0129 ¥23.8204 ¥18.8597 查看 ¥18.0348 ¥17.4585	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-3PF	Through Hole	Single	600 V	1.5 V	- 20 V, 20 V	35 A	79 W	- 55 C	+ 150 C	STGWF30NC60S	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT STGFW40H65FB STMicroelectronics 1: ¥39.1206 270库存量	制造商零件编号 STGFW40H65FB Mouser 零件编号 511-STGFW40H65FB	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT 了解更多关于STMicroelectronics stm hb igbt 的信息	数据表	270库存量	¥39.1206 ¥25.6397 ¥19.1083 ¥15.9669 查看 ¥14.803 ¥13.899	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-3PF	Through Hole	Single	650 V	2 V	- 20 V, 20 V	80 A	62.5 W	- 55 C	+ 175 C	STGFW40H65FB
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed STGFW40V60DF STMicroelectronics 600: ¥14.3962 无库存交货期 14 周	制造商零件编号 STGFW40V60DF Mouser 零件编号 511-STGFW40V60DF	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed	数据表	无库存交货期 14 周	¥14.3962 ¥13.3227 ¥12.4865	最低： 600 倍数： 300			Si	TO-3PF	Through Hole	Single	600 V	1.8 V	- 20 V, 20 V	80 A	62.5 W	- 55 C	+ 175 C	STGFW40V60DF	Tube