IQE046N08LM5CGATMA1

Name: Infineon IQE046N08LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQE046N08LM5CGAT
Price: 27.82 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IQE046N08LM5CGAT

制造商编号：

IQE046N08LM5CGATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET > 60-80V

数据表:

IQE046N08LM5CGATMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TTFN-9
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	99 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.3 V
Qg-栅极电荷:	38 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	100 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	4.4 ns
正向跨导 - 最小值:	62 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.6 ns
系列:	IQE046N08
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	OptiMOS 5 Power Transistor
典型关闭延迟时间:	18 ns
典型接通延迟时间:	5.2 ns
零件号别名:	IQE046N08LM5CG SP005633163

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥31.4366	¥31.44
	¥15.8765	¥158.77
	¥14.3962	¥1,439.62
	¥11.7407	¥5,870.35
	¥11.0062	¥27,515.50
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥11.0062	¥55,031.00

IQE046N08LM5CGATMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET IFX FET > 60-80V

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