5001 晶体管

结果: 12
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Vishay / Siliconix MOSFET 60V Vds 150A 375W 175C 1,041库存量
最低: 1
倍数: 1
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Vishay / Siliconix MOSFET 60V Vds 150A 375W TO-220 869库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Vishay Semiconductors MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-263 995库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,600

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
onsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 140V 200W NPN 796库存量
1,000预期 2026/12/11
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-204-2 NPN
ROHM Semiconductor 2SC5001TLR
ROHM Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 10A 645库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Vishay Semiconductors MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-220AB
1,505在途量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Nexperia MOSFET PXP1500-100QS/SOT8002/MLPAK33
12,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel
Infineon Technologies FP50R12W3T7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 50 A PIM IGBT module 8库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Si
Microchip Technology 2N5001
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT 无库存交货期 50 周
最低: 100
倍数: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si
Infineon Technologies FS200R12W3T7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 200 A sixpack IGBT module 无库存交货期 10 周
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Si
onsemi 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20A 140V 250W NPN 3,705库存量
3,300在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-204-2 NPN
Microchip Technology 2C5001
Microchip Technology 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
BJTs - Bipolar Transistors