GaN 场效应晶体管

结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 技术
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor 340库存量
剪切带
¥70.2295
¥39.0415
¥35.821
¥34.8266
¥31.0185
卷轴
¥26.8827
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
SMD/SMT FCLGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 501 A 1.5 mOhms - 4 V to + 6 V 2.1 V 15.9 nC - 40 C + 150 C 735 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor 343库存量
剪切带
¥32.9169
¥17.9444
卷轴
¥17.9444
最低: 1
倍数: 1
最大: 50
: 3,000
SMD/SMT FCLGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 201 A 3.5 mOhms - 4 V to + 6 V 2.1 V 6.3 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 354库存量
剪切带
¥82.3883
¥45.4147
¥42.4315
¥34.6571
卷轴
¥34.578
最低: 1
倍数: 1
: 1,800
SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 880库存量
剪切带
¥56.6582
¥30.1936
¥27.6285
¥25.8883
¥22.7469
卷轴
¥21.0971
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 949库存量
剪切带
¥49.2115
¥25.8883
¥23.5718
¥21.4248
¥20.5999
卷轴
¥17.4585
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 910库存量
剪切带
¥41.9343
¥29.945
¥22.4983
¥21.6734
卷轴
¥15.5488
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 987库存量
剪切带
¥33.335
¥16.9613
¥15.3906
¥12.656
卷轴
¥10.4186
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 970库存量
剪切带
¥31.5948
¥15.9669
¥14.4753
卷轴
¥14.4753
最低: 1
倍数: 1
最大: 100
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 547库存量
剪切带
¥23.165
¥11.413
¥10.2604
¥8.2377
卷轴
¥6.8817
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 无库存交货期 52 周
卷轴
¥45.3243
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN