3-Phase Bridge IGBT 模块

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP3F
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 7
倍数： 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge Tube
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-BL3
数据表
IGBT Power Module 3-Phase Bridge 1.2 kV 2.05 V 80 A 150 nA 263 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-6HPD
数据表

IGBT Modules 3-Phase Bridge 1.2 kV 2.05 V 90 A 150 nA 333 W 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-6HPD
数据表

IGBT Modules 3-Phase Bridge 650 V 1.85 V 100 A 150 nA 300 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-6HPD
数据表

IGBT Modules 3-Phase Bridge 1.2 kV 2.05 V 180 A 150 nA 452 W 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT 模块 PM-IGBT-SBD-6HPD
数据表

IGBT Modules 3-Phase Bridge 650 V 1.85 V 100 A 200 nA 400 W 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm - 55 C + 175 C