Quad 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SMPDB 3KV 22A IGBT
数据表
222库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Quad 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Quad 1.2 kV 1.45 V - 20 V, 20 V 75 A 275 W - 40 C + 150 C High Speed IGBT H3 Tray