TO-247 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
数据表
7,492库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 60
Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGH60N60SMD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
801库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 150A 187W
数据表
317库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 150 A 187 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
数据表
1,071库存量
5,400预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 52 A 208 W - 55 C + 150 C STGWA19NC60HD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V, 40A Field Stop IGBT
数据表
5,354库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 180

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 150 C FGH40N60SMD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V 100 A 240 W
数据表
81库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 340 W - 55 C + 175 C FGH50T65UPD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V/40A FAST IGBT FSII
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 60

Si TO-247 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 80 A 535 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
580库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
530库存量
600预期 2026/11/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60DF Tube