TO-247-4 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 50
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集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
数据表
318库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
数据表
317库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
330库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3 TIGBT Excellent switching performan
数据表
502库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
1,055库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.1 V - 20 V, 20 V 100 A 536 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 L5 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
数据表
384库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.55 V - 20 V, 20 V 80 A 306 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120LQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
432库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
709库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
234库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 1200V 40A UFS
数据表
257库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.78 V - 20 V, 20 V 160 A 454 W - 55 C + 175 C FGH40T120SQDNL4 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
数据表
346库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDTL4 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
数据表
321库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDTL4 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
279库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L IGBT STAND-ALONE (LOW COST)
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 45

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.66 V 30 V 73 A 289 W - 55 C + 175 C AFGH4L60T120RW-STD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L COPACK (LOW COST)
数据表
435库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 44

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 73 A 287 W - 55 C + 175 C AFGH4L60T120RWD-STD Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
数据表
180库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 750 V 1.45 V 20 V 160 A 500 W - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
数据表
143库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 750 V 1.45 V 20 V 160 A 625 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
数据表
894库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
数据表
408库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
数据表
422库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 42

Si TO-247-4 Through Hole SIngle 1.2 kV 1.65 V 20 V 80 A 384 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120SWD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L
数据表
420库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RW Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L
数据表
445库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 50 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L25T120RWD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 4L
数据表
437库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.66 V 20 V 80 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L40T120RW Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L
数据表
899库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.66 V 20 V 80 A 416 W - 55 C + 175 C AFGH4L40T120RWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 75A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)
数据表
306库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 30 V, 30 V 110 A 385 W - 55 C + 175 C FGH4L75T65MQDC50 Tube